分立器件TO247-3L 是经典功率封装，3 引脚（栅极、漏极、源极）设计，适配 SiC MOSFET、IGBT 等功率芯片。具备优异散热性（铜基板 + 大散热焊盘），耐温 - 55℃~150℃，额定电流可达数百安培，电压覆盖 650V~3300V。广泛用于工业变频器、光伏逆变器、车载电源，支持插件安装，适配中大功率分立应用场景。​

SiC MOSFET DIE芯片是第三代半导体核心裸器件，延续 SiC 优势：导通损耗降 50%+、开关速度提 3 倍，耐温 - 55℃~225℃，耐压 650V~15kV，RDS (on)≤5mΩ。适配高密度封装，用于新能源汽车 OBC、光伏逆变器等，为功率模块提供核心支撑，助力设备小型化。

SiC MOSFET芯片是第三代半导体核心器件，相比硅基 IGBT，导通损耗降 50%+、开关速度提 3 倍，耐温 - 55℃~225℃，耐压 650V~15kV。适用于新能源汽车 OBC、光伏储能逆变器、工业变频器等，支撑高频化设计，提升效率、减小设备体积，适配严苛工况。

IGBT/FRD DIE芯片是电力电子核心裸片，集成 IGBT 电压控制与高电流特性、FRD 快恢复优势。具备低导通损耗（IGBT 饱和电压≤1.8V）、FRD 反向恢复时间短，耐温 - 40℃~175℃，抗浪涌强。适配 650V~6500V 耐压、数百安培电流，用于新能源汽车、光伏逆变器、工业变频器，为功率模块提供核心器件支撑。

IGBT/FRD芯片 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是电压驱动的全控型功率器件，兼具高频与大功率控制优势；FRD（快恢复二极管）以快速反向恢复特性见长，为 IGBT 关断时的感性电流续流。二者常配套或集成使用，采用沟槽场终止等技术，降低损耗与噪声，是新能源、工业变频、轨道交通等电能转换场景的核心芯片。