| 品牌 | 其他品牌 | 价格区间 | 面议 |
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| 应用领域 | 能源,电子/电池,汽车及零部件,电气 | | |
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一、产品性能
SiC MOSFET DIE芯片作为第三代半导体核心裸器件，性能优势突出且适配高密度封装需求：延续 SiC 材料特性，导通损耗较硅基 IGBT 降低 50% 以上，开关速度提升 3 倍，支持 1MHz 高频开关，减少功率模块整体能量损耗；耐温范围覆盖 - 55℃~225℃，结温上限达 225℃，无需额外散热增强设计即可应对高温工况；击穿电场强度为硅的 10 倍，抗浪涌电压、电流能力强，无体二极管反向恢复损耗，大幅降低模块电磁干扰，工业级与车规级可靠性均能满足严苛标准，为功率模块小型化奠定基础。
二、核心参数
关键参数精准匹配不同功率场景：耐压等级覆盖 650V（低压消费电子）~15kV（高压智能电网），适配多领域需求；导通电阻（RDS (on)）低至 5mΩ 以下（1200V 规格），减少导通阶段能量损耗；栅极电荷（Qg）仅为同规格硅基 IGBT 的 1/3，开关损耗低，提升模块效率；漏极电流（Id）可达 200A 以上，满足大功率输出需求；热阻（Rth (j-c)）低至 0.2℃/W，散热效率高，可直接集成到高密度封装结构中，无需额外预留散热空间，助力模块体积缩减 30% 以上。
三、型号定位
型号体系围绕裸片核心特性设计，便于精准选型：主流命名逻辑为 “耐压等级 + 导通电阻 + 工艺 / 封装适配标识"，如英飞凌 “IMW120R045M1H-DIE"，“120" 代表 1200V 耐压，“045" 代表 RDS (on) 为 45mΩ，“DIE" 明确裸片形态；安森美 “NVH4L012N120SC1-D"，“120" 指 1200V 耐压，“012" 指 RDS (on) 为 12mΩ，“D" 代表裸片版本。部分型号含应用场景标识，如 “EV-D" 代表车规级裸片，“IND-D" 代表工业级裸片。SiC MOSFET DIE芯片型号无冗余信息，可快速匹配功率模块设计需求，同时支持定制化参数，应对特殊封装场景。
四、适用用途
广泛应用于高集成度功率模块领域：新能源汽车领域，作为核心裸片集成到车载 OBC、DC/DC 转换器及牵引逆变器模块，适配 800V 高压平台，提升模块效率至 98.5% 以上，助力整车续航增加 10%；光伏储能领域，集成到高频逆变器模块，支撑转换效率超 99.5%，模块体积缩减 40%，降低储能系统安装成本；工业领域，用于高压变频器、伺服驱动器模块，实现电机高效调速，模块节能率提升 15%；轨道交通领域，采用 3300V 及以上高压裸片，集成到牵引变流器模块，减轻设备重量 20%；此外，还用于智能电网、航空航天电源模块，为高功率密度、小型化电力电子装置提供核心支撑。
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