车规级IGBT/SiC MOSFET模块 D3模块适配新能源汽车 800V 高压平台，覆盖驱动逆变器、OBC 及 DC/DC 核心场景。采用低杂散电感封装与 Si₃N₄陶瓷基板，开关损耗较传统 IGBT 降低 78%，助力逆变器效率达 99%，续航提升 5%-10%。支持高频运行，可缩小散热与无源元件体积，满足车规可靠性要求。

车规级IGBT/SiC MOSFET D2 符合 AEC-Q104 标准，开关频率达 50kHz，-55℃至 175℃宽温稳定运行。额定电压 650V-1200V、电流 200A-500A，损耗较传统 IGBT 降 35%。适配新能源汽车主逆变器、OBC、DC/DC 转换器，提升整车能效与续航，抗振性达车规级。