南瑞半导体PRODUCTSERIES产品聚焦创新科技与实用美学，系列产品以高效能、轻量化为核心。覆盖多场景需求，兼具品质稳定性与人性化设计，从细节处提升使用体验，为用户提供可靠、便捷的解决方案。

车规级IGBT/SiC MOSFET模块 D3模块适配新能源汽车 800V 高压平台，覆盖驱动逆变器、OBC 及 DC/DC 核心场景。采用低杂散电感封装与 Si₃N₄陶瓷基板，开关损耗较传统 IGBT 降低 78%，助力逆变器效率达 99%，续航提升 5%-10%。支持高频运行，可缩小散热与无源元件体积，满足车规可靠性要求。

车规级IGBT/SiC MOSFET D2 符合 AEC-Q104 标准，开关频率达 50kHz，-55℃至 175℃宽温稳定运行。额定电压 650V-1200V、电流 200A-500A，损耗较传统 IGBT 降 35%。适配新能源汽车主逆变器、OBC、DC/DC 转换器，提升整车能效与续航，抗振性达车规级。

工业级IGBT模块 S4 是 S3 进阶款，开关频率达 40kHz（较 S3 升 14%），-40℃至 165℃宽温运行，抗浪涌能力增 30%。额定电压 600V-1700V、电流 180A-450A，Vce (sat) 低至 1.3V。适配超大功率变频器、大型储能逆变器，兼容 S3 安装，能效与稳定性双升。

工业级IGBT模块 S3 是 S2 进阶款，开关频率提至 35kHz（较 S2 升 17%），-40℃至 160℃宽温运行，抗浪涌能力增 25%。额定电压 600V-1700V、电流 150A-400A，Vce (sat) 低至 1.4V。适配大功率变频器、储能逆变器，兼容 S2 安装，能效再升级。

工业级IGBT模块 S2是 S1 升级款，开关频率达 30kHz（较 S1 升 15%），-40℃至 155℃宽温稳定运行，抗扰性强。额定电压 600V-1700V、电流 120A-350A，Vce (sat) 低至 1.5V。适配变频器、充电桩等，可替换 S1，提升设备效率。