




产品简介
南瑞半导体PRODUCTSERIES产品聚焦创新科技与实用美学,系列产品以高效能、轻量化为核心。覆盖多场景需求,兼具品质稳定性与人性化设计,从细节处提升使用体验,为用户提供可靠、便捷的解决方案。
| 品牌 | 其他品牌 | 价格区间 | 面议 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 环保,生物产业,能源,汽车及零部件,电气 |
一、产品性能:
南瑞半导体 PRODUCTSERIES涵盖 IGBT/FRD(650V-6500V)与 SiC MOSFET(1200V-3300V)两大核心系列,主打高压自主可控与高效可靠。SiC 器件采用低比导微元胞设计,比导通电阻低至 3.1mΩ・cm²,开关损耗较一代降 25%,结温耐受达 175℃,通过 AEC-Q101 车规认证;IGBT 模块突破 6500V/3000A 高压规格,4500V/3000A 已挂网应用,国产化率超 70%。
具备强鲁棒性,通过 HTRB、HV-H3TRB 可靠性测试,抗干扰与散热性能优异,适配 - 40℃~+125℃宽温场景,广泛应用于特高压、新能源、储能、新能源汽车等领域,误失效率≤0.001%。
二、核心参数:
电压覆盖:IGBT 650V-6500V,SiC MOSFET 1200V-3300V,电流规格 0.5A-5000A;
关键性能:SiC 开关频率≤40kHz,IGBT 模块短路耐受时间≥10μs,效率≥99.2%;
封装接口:含车规级 / 工业级模块、分立器件,支持 QFN / 压接式封装,兼容 15V/18V 驱动平台;
可靠性:MTBF≥10⁶小时,良率达 90%,符合 RoHS 标准,支持 PMBus 通信与故障录波。
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