产品简介

车规级IGBT/SiC MOSFET模块 D3模块适配新能源汽车 800V 高压平台，覆盖驱动逆变器、OBC 及 DC/DC 核心场景。采用低杂散电感封装与 Si₃N₄陶瓷基板，开关损耗较传统 IGBT 降低 78%，助力逆变器效率达 99%，续航提升 5%-10%。支持高频运行，可缩小散热与无源元件体积，满足车规可靠性要求。

一、产品性能：

车规级IGBT/SiC MOSFET模块 D3聚焦车载严苛需求，性能兼具高效与高可靠性：采用 IGBT 与 SiC MOSFET 双芯兼容设计，SiC 版本导通损耗比传统 IGBT 低 40%，开关速度提升 3 倍，适配车载高频功率变换；通过 AEC-Q101 车规认证，耐温范围覆盖 - 40℃~175℃，可耐受 - 40℃~150℃冷热冲击循环，抗振动等级达 ISO 16750-3 标准；集成车规级 FRD，反向恢复损耗低，电磁干扰（EMI）比普通模块降低 15%，无需额外滤波元件即可满足车载 EMC 要求，适配新能源汽车复杂电气环境。

二、核心参数：

关键参数精准匹配车载场景：电压覆盖 650V（低压车载电源）~1200V（高压牵引系统），SiC 版本支持 800V 高压平台；额定电流 20A~100A，脉冲电流达额定值 2.5 倍，应对车载短时过载；IGBT 版本 Vce (sat)≤1.7V，SiC 版本 RDS (on)≤10mΩ，能量损耗低；热阻（Rth (j-c)）低至 0.6℃/W，搭配车载水冷系统可快速散热；隔离电压达 3000Vrms，满足车载高压安全要求；栅极控制电压范围 ±20V，兼容主流车载 MCU 驱动信号，响应延迟≤50ns，确保功率变换精准同步。

三、型号定位：

型号体系围绕车载特性设计，选型清晰：基础命名逻辑为 “车规模块类型 + D3 + 电压 + 电流 + 芯片类型"，如 “Auto-D3-650V-50A-IGBT" 代表 650V/50A IGBT 版本，“Auto-D3-1200V-80A-SiC" 代表 1200V/80A SiC 版本；后缀标注封装与认证，如 “Auto-D3-800V-60A-SiC-H" 中 “H" 代表高功率密度封装，“A" 代表满足功能安全 ASIL-B 要求。车规级IGBT/SiC MOSFET模块 D3型号无冗余信息，可快速识别芯片类型、电压电流及安全等级，适配不同新能源汽车功率架构需求。

四、适用用途：