产品简介

SiC MOSFET芯片是第三代半导体核心器件，相比硅基 IGBT，导通损耗降 50%+、开关速度提 3 倍，耐温 - 55℃~225℃，耐压 650V~15kV。适用于新能源汽车 OBC、光伏储能逆变器、工业变频器等，支撑高频化设计，提升效率、减小设备体积，适配严苛工况。

一、产品性能：

SiC MOSFET芯片作为第三代半导体核心器件，性能优势远超传统硅基 IGBT：导通损耗降低 50% 以上，开关速度提升 3 倍，支持 1MHz 高频开关，可减少电路中无源元件体积；耐温范围覆盖 - 55℃~225℃，结温上限达 225℃，无需复杂散热系统即可稳定运行，适配高温严苛工况；击穿电场强度是硅的 10 倍，抗浪涌电压、电流能力强，无体二极管反向恢复损耗，大幅降低系统电磁干扰，工业级与车规级可靠性均达高水准。

二、核心参数：

关键参数适配多场景需求：耐压等级覆盖 650V（低压，适用于消费电子）~15kV（高压，适用于智能电网）；导通电阻（RDS (on)）低至几十毫欧，1200V 规格芯片 RDS (on) 可≤5mΩ，减少导通能量损耗；栅极电荷（Qg）仅为同规格 IGBT 的 1/3，开关损耗低；漏极电流（Id）可达 200A 以上，满足大功率需求；热阻（Rth (j-c)）低至 0.2℃/W，散热效率高，为设备小型化提供支撑，适配高密度封装设计。

三、型号定位：

型号体系围绕核心特性构建，便于精准选型：主流命名逻辑为 “耐压等级 + 导通电阻 + 封装 / 工艺标识"，如英飞凌 “IMW120R045M1H"，“120" 代表 1200V 耐压，“045" 代表 RDS (on) 为 45mΩ，“M1H" 为封装与工艺代码；安森美 “NVH4L012N120SC1"，“120" 指 1200V 耐压，“012" 指 RDS (on) 为 12mΩ。部分型号含场景标识，如 “EV" 代表车规级，“IND" 代表工业级。SiC MOSFET芯片型号无冗余信息，可快速匹配设计需求，同时支持定制化参数，应对特殊场景。

四、适用用途：